1 引言

　　BCD是一種單片集成工藝技術(shù)。1986年由意法半導(dǎo)體(ST)公司率先研制成功，這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作雙極管bipolar，CMOS和DMOS 器件，稱為BCD工藝。

　　了解BCD工藝的特點(diǎn)，需要先了解雙極管 bipolar，CMOS和DMOS器件這三種器件的特點(diǎn)，詳見表1。

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　　BCD工藝把雙極器件和CMOS器件同時(shí)制作在同一芯片上。它綜合了雙極器件高跨導(dǎo)、強(qiáng)負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力和CMOS集成度高、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，使其互相取長補(bǔ)短，發(fā)揮各自的優(yōu)點(diǎn)。更為重要的是，它集成了DMOS功率器件，DMOS可以在開關(guān)模式下工作，功耗極低。不需要昂貴的封裝和冷卻系統(tǒng)就可以將大功率傳遞給負(fù)載。低功耗是BCD工藝的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)之一。整合過的BCD工藝制程，可大幅降低功率耗損，提高系統(tǒng)性能，節(jié)省電路的封裝費(fèi)用，并具有更好的可靠性。

　　2 BCD工藝關(guān)鍵技術(shù)簡介 2.1 BCD工藝的基本要求

　　首先，BCD工藝必須把雙極器件、CMOS器件和DMOS器件同時(shí)制作在同一芯片上，而且這三種器件在集成后應(yīng)基本上能具有各自分立時(shí)所具有的良好性能;其次，BCD工藝制造出來的芯片應(yīng)具有更好的綜合性能;此外，相對于其中最復(fù)雜的工藝(如雙阱、多層布線、多層多晶硅的CMOS工藝)不應(yīng)增加太多的工藝步驟。

　　2.2 BCD工藝兼容性考慮[1]

　　BCD工藝典型器件包括低壓CMOS管、高壓 MOS管、各種擊穿電壓的LDMOS、垂直NPN管、垂直PNP管、橫向PNP管、肖特基二極管、阱電阻、多晶電阻、金屬電阻等;有些工藝甚至還集成了EEPROM、結(jié)型場效應(yīng)管JFET等器件。由于集成了如此豐富的器件，這就給電路設(shè)計(jì)者帶來極大的靈活性，可以根據(jù)應(yīng)用的需要來選擇最合適的器件，從而提高整個(gè)電路的性能。

　　由于BCD工藝中器件種類多，必須做到高壓器件和低壓器件的兼容;雙極工藝和CMOS工藝的相兼容，尤其是要選擇合適的隔離技術(shù);為控制制造成本，必須考慮光刻版的兼容性。考慮到器件各區(qū)的特殊要求，為減少工藝制造用的光刻版，應(yīng)盡量使同種摻雜能兼容進(jìn)行。因此，需要精確的工藝模擬和巧妙的工藝設(shè)計(jì)，有時(shí)必須在性能與集成兼容性上作折中選擇。通常BCD采用雙阱工藝，有的工藝會(huì)采用三阱甚至四阱工藝來制作不同擊穿電壓的高壓器件。

　　2.3 DMOS器件的結(jié)構(gòu)、工作原理與特點(diǎn)[2-5]

　　功率輸出級DMOS管是此類電路的核心，往往占據(jù)整個(gè)芯片面積的1/2～2/3，它是整個(gè)集成電路的關(guān)鍵。DMOS與CMOS器件結(jié)構(gòu)類似，也有源、漏、柵等電極，但是漏端擊穿電壓高。 DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管VDMOSFET( vertical double-diffused MOSFET)和橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管LDMOSFET (lateral double-diffused MOSFET)。

　　LDMOS由于更容易與CMOS工藝兼容而被廣泛采用。LDMOS器件結(jié)構(gòu)如圖1所示，LDMOS是一種雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)的功率器件。這項(xiàng)技術(shù)是在相同的源/漏區(qū)域注入兩次，一次注入濃度較大(典型注入劑量 1015cm-2)的砷(As)，另一次注入濃度較小(典型劑量1013cm-2)的硼(B)。注入之后再進(jìn)行一個(gè)高溫推進(jìn)過程，由于硼擴(kuò)散比砷快，所以在柵極邊界下會(huì)沿著橫向擴(kuò)散更遠(yuǎn)(圖中P阱)，形成一個(gè)有濃度梯度的溝道，它的溝道長度由這兩次橫向擴(kuò)散的距離之差決定。為了增加擊穿電壓，在有源區(qū)和漏區(qū)之間有一個(gè)漂移區(qū)。LDMOS中的漂移區(qū)是該類器件設(shè)計(jì)的關(guān)鍵，漂移區(qū)的雜質(zhì)濃度比較低，因此，當(dāng)LDMOS 接高壓時(shí)，漂移區(qū)由于是高阻，能夠承受更高的電壓。圖1所示LDMOS的多晶擴(kuò)展到漂移區(qū)的場氧上面，充當(dāng)場極板，會(huì)弱化漂移區(qū)的表面電場，有利于提高擊穿電壓。場極板的作用大小與場極板的長度密切相關(guān)[6]。要使場極板能充分發(fā)揮作用，一要設(shè)計(jì)好SiO2層的厚度，二要設(shè)計(jì)好場極板的長度。

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　　DMOS器件是由成百上千的單一結(jié)構(gòu)的DMOS 單元所組成的。這些單元的數(shù)目是根據(jù)一個(gè)芯片所需要的驅(qū)動(dòng)能力所決定的，DMOS的性能直接決定了芯片的驅(qū)動(dòng)能力和芯片面積。對于一個(gè)由多個(gè)基本單元結(jié)構(gòu)組成的LDMOS器件，其中一個(gè)最主要的考察參數(shù)是導(dǎo)通電阻，用R ds(on)表示。導(dǎo)通電阻是指在器件工作時(shí)，從漏到源的電阻。對于 LDMOS器件應(yīng)盡可能減小導(dǎo)通電阻，就是BCD工藝流程所追求的目標(biāo)。當(dāng)導(dǎo)通電阻很小時(shí)，器件就會(huì)提供一個(gè)很好的開關(guān)特性，因?yàn)槁┰粗g小的導(dǎo)通電阻，會(huì)有較大的輸出電流，從而可以具有更強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力。DMOS的主要技術(shù)指標(biāo)有：導(dǎo)通電阻、閾值電壓、擊穿電壓等。

　　對LDMOS而言，外延層的厚度、摻雜濃度、漂移區(qū)的長度是其最重要的特性參數(shù)。我們可以通過增加漂移區(qū)的長度以提高擊穿電壓，但是這會(huì)增加芯片面積和導(dǎo)通電阻。高壓DMOS器件耐壓和導(dǎo)通電阻取決于外延層的濃度、厚度及漂移區(qū)長度的折中選擇。因?yàn)槟蛪汉蛯?dǎo)通阻抗對于外延層的濃度和厚度的要求是矛盾的。高的擊穿電壓要求厚的輕摻雜外延層和長的漂移區(qū)，而低的導(dǎo)通電阻則要求薄的重?fù)诫s外延層和短的漂移區(qū)，因此必須選擇最佳外延參數(shù)和漂移區(qū)長度，以便在滿足一定的源漏擊穿電壓的前提下，得到最小的導(dǎo)通電阻。另外，由于DMOS芯片面積大，對缺陷密度較敏感。