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HG5511D參數特性 60V低壓MOS 40A結電容低 手機快充專用MOS管

100V耐壓MOS管 ? 來源:惠海半導體 ? 作者:惠海半導體 ? 2021-01-23 11:00 ? 次閱讀

MOS管型號:HG5511D

參數:60V 40A

封裝:DFN3333

內阻:11mR(Vgs=10V)

14mR(Vgs=4.5V)

電容:550pF

開啟電壓:1.8V

應用領域:車燈照明、車載電子、電動車應用、LED去頻閃、LED升降壓照明、太陽能源、舞臺燈照明、加濕器、美容儀等電壓開關應用。

【高頻率 大電流 SGT工藝 開關損耗小】

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