在重負載時，如果MOSFET的體二極管的反向恢復時間t_rr較長，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關斷時，寄生雙極晶體管可能會誤導通，從而損壞MOSFET。這種問題發生在由關斷時產生的對漏源電容C_DS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發地導通（誤導通）、瞬間流過大電流時。 在逆變器電路等電路中，在正向電流流過MOSFET的體二極管的狀態下，通過施加高反向偏置電壓，強制使體二極管中的電荷（Q_rr）被快速釋放。這種放電所需時間為t_rr，因此最終會導致t_rr變短。 而在PSFB電路中，在反向恢復期間施加到體二極管的偏置電壓幾乎為0V，這會使電荷釋放速度變慢，最終導致t_rr變長。下圖為超前臂MOSFET的V_DS、I_D和反向恢復電流示意圖。 當t_rr變長時，反向恢復所產生的電流會發生變化，如圖中紅色虛線所示。也就是說，當關斷時，MOSFET中有電荷殘存，這使得電流更容易流動，使寄生雙極晶體管更容易誤導通。

因此，在PSFB電路中，需要使用t_rr小的MOSFET。簡言之，t_rr越小越有效。市場上有一些低t_rr的快速恢復SJ MOSFET，但制造商和產品系列不同，t_rr及其相關參數也存在差異，因此，在選擇時需要進行充分確認。 即使是滯后臂的MOSFET，在關斷時也可能引起寄生雙極晶體管的誤導通。但是，正如通過PSFB電路的工作所解釋說明的，由于與超前臂相比，I_D為正的時間段較長，因此不容易受到t_rr的影響，滯后臂不容易因寄生雙極晶體管的誤導通而導致MOSFET損壞。與超前臂一樣，這里也給出了反向恢復電流的示意圖。