存儲(chǔ)技術(shù)
HBM市場(chǎng)火爆！美光與SK海力士今年供貨已告罄
美光指出，專為AI、超級(jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的HBM3E預(yù)計(jì)2024年初量產(chǎn)，有望于2024會(huì)計(jì)年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營(yíng)收。Mehrotra對(duì)分析師表示，“2024年1~12月，美光HBM預(yù)估全數(shù)售罄”。
2024-02-27 標(biāo)簽：gpu超級(jí)計(jì)算機(jī)美光SK海力士HBM 466
IBM積極推進(jìn)Ceph擴(kuò)展，以打造AI領(lǐng)域的底層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)基石
BM正著手?jǐn)U展Ceph的塊和文件存儲(chǔ)功能，希望將其定位為Storage Scale并行文件系統(tǒng)之下面向AI工作負(fù)載的后端數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2024-02-20 標(biāo)簽：IBM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)AITCP塊存儲(chǔ) 426
首顆自研2D MLC NAND Flash！江波龍構(gòu)建完整的...
首顆自研2D MLC NAND Flash！江波龍構(gòu)建完整的存儲(chǔ)芯片垂直整合能力...
存儲(chǔ)市場(chǎng)風(fēng)云再起！關(guān)鍵閃存芯片緊缺，SSD價(jià)格大幅上漲
對(duì)于單面設(shè)計(jì)的M.2 2280 SSD，都需要四顆閃存封裝芯片，2TB、4TB這種越來(lái)越普及的容量就得用到關(guān)鍵的4-die、8-die封裝。
SK海力士持續(xù)投資無(wú)錫的原因
無(wú)錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無(wú)錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 標(biāo)簽：DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存儲(chǔ)芯片光刻機(jī)SK海力士 876
佰維存儲(chǔ)首顆主控芯片即將量產(chǎn)
SK海力士表示，由于平均售價(jià)上漲，芯片價(jià)格在減產(chǎn)后趨于穩(wěn)定，DRAM部門在連續(xù)兩個(gè)季度虧損后，三季度開(kāi)始扭虧為盈。
2024-01-26 標(biāo)簽：NANDIC設(shè)計(jì)主控芯片SK海力士佰維存儲(chǔ) 486
彰顯全球影響力 | 佰維存儲(chǔ)榮獲印度“增長(zhǎng)最快的閃存制造商品...
近日，佰維亮相印度第15屆DT Awards 2023頒獎(jiǎng)盛典，公司憑借在存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力以及市場(chǎng)服務(wù)方面的突出表現(xiàn)，斬獲了“ 增長(zhǎng)最快的閃存制造商品牌 ”大獎(jiǎng)。 ? 佰維消費(fèi)級(jí)業(yè)務(wù)經(jīng)理Rajesh Khurana（右）上臺(tái)領(lǐng)獎(jiǎng) ? 本次頒獎(jiǎng)匯聚了250多位行業(yè)領(lǐng)袖，包括來(lái)自ICT行業(yè)垂直領(lǐng)域的供應(yīng)商、企業(yè)高管、分銷商和經(jīng)銷商。DT獎(jiǎng)項(xiàng)（Digital Terminal）以推動(dòng)ICT產(chǎn)業(yè)發(fā)展以及印度科技品牌的集體成長(zhǎng)為宗旨，表彰為印度市場(chǎng)客戶帶來(lái)最佳產(chǎn)品的科技品牌，因其高度權(quán)
2024-01-25 標(biāo)簽：佰維存儲(chǔ) 440
DRAM漲價(jià)潮：廠商減產(chǎn)引發(fā)需求激增，持續(xù)尋求利潤(rùn)改善
報(bào)導(dǎo)指出，因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場(chǎng)過(guò)剩情況緩解，2023年11月DRAM批發(fā)價(jià)約2年半來(lái)首度呈現(xiàn)揚(yáng)升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利，今后將持續(xù)要求漲價(jià)。
2024-01-25 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)芯片Nand flashSK海力士 389
存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)升溫，DRAM價(jià)格連續(xù)兩個(gè)月上漲
存儲(chǔ)模組大廠威剛發(fā)布2023年財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，2023年全年合并營(yíng)收達(dá)337億新臺(tái)幣，同比下降3.9%。
2024年DRAM投片量：一季度微增，下半年劇增
DRAM稼動(dòng)率緩步改善，業(yè)界認(rèn)為，整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升，較2023年第4季小幅提升約5%左右，下半年投片量回升速度將明顯加快。
2024-01-23 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)芯片Nand flash 460
NAND封裝短缺導(dǎo)致大容量SSD價(jià)格暴漲
消息人士指出，NAND封裝短缺對(duì)供應(yīng)鏈的全面影響可能需要兩到三個(gè)月的時(shí)間，屆時(shí)一些最好的2TB和4TB固態(tài)硬盤的價(jià)格將 "暴漲"。
英特爾重返龍頭，英偉達(dá)首次躋身前五
由于全球存儲(chǔ)芯片需求銳減，拖累了2023年全球半導(dǎo)體營(yíng)收萎縮11%至5330億美元。其中，2023年全球存儲(chǔ)芯片營(yíng)收暴跌37%，DRAM暴跌38.5%至484億美元，NAND Flash暴跌37.5%至362億美元。
2024-01-19 標(biāo)簽：英特爾DRAMNand flash英偉達(dá)三星 382
LLW DRAM：AI智能手機(jī)時(shí)代的財(cái)富密碼
LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存，擁有寬I/O、低延遲、每個(gè)模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬，與一個(gè)128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。
2024-01-17 標(biāo)簽：智能手機(jī)DRAM片上系統(tǒng)AI三星 527
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