存儲技術(shù)
康芯威亮相CES 2024 多元化存儲解決方案大放異彩
當(dāng)?shù)貢r間2024年1月12日，CES （國際消費類電子產(chǎn)品展）在美國拉斯維加斯完美謝幕，為期4天的科技盛宴吸引了全球4000余家科技企業(yè)參展，中國企業(yè)在其中的占比也逐年遞增。 作為科技行業(yè)的“風(fēng)向標”，本屆CES的展品覆蓋消費電子、AI、元宇宙、5G、汽車電子等數(shù)十個細分領(lǐng)域，讓觀眾全面洞悉未來科技發(fā)展新貌。其中5G、AI、云計算等技術(shù)快速發(fā)展，也使得如今對存儲產(chǎn)品的需求不可同日而語，也給存儲產(chǎn)業(yè)帶來更大的發(fā)展機遇，亦是我國加速建設(shè)本土
2024-01-16 標簽：康芯威 474
SK海力士：挑戰(zhàn)美國限制，推進中國半導(dǎo)體技術(shù)升級
無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 標簽：DRAM半導(dǎo)體制造SK海力士 415
三星電子轉(zhuǎn)型之路：應(yīng)對挑戰(zhàn)，聚焦超級差距技術(shù)
三星電子現(xiàn)在的目標是在新興的高密度存儲芯片領(lǐng)域趕上競爭對手，計劃到2024年將容量提高2.5倍。HBM是一種能夠更快地處理數(shù)據(jù)的先進芯片，可與硬件配合使用，例如英偉達的加速器，用于加速訓(xùn)練AI模型等密集任務(wù)的數(shù)據(jù)處理。
2024-01-12 標簽：DRAM三星電子人工智能數(shù)據(jù)處理存儲芯片 417
三星財報：存儲市場疲軟，尋求新增長點
去年第四季度，三星營業(yè)利潤下降35%，至2.8萬億韓圓（約合人民幣153億元），遜于分析師的平均預(yù)期3.7萬億韓圓。公司該季度營收為67萬億韓圓（約合3664億元），低于分析師平均預(yù)期的70.31萬億韓圓。
市場需要密切關(guān)注8個存儲趨勢
Boland指出存在三種主要的存儲類型：對象、塊和文件。他說，“對象存儲是唯一能夠以EB規(guī)模提供低成本和高性能的存儲。”Boland補充說，最近的IDC調(diào)查顯示，80%的受訪者認為對象存儲可以支持他們的頂級IT計劃，包括物聯(lián)網(wǎng)、報告和分析。
2024-01-10 標簽：網(wǎng)絡(luò)安全SSD數(shù)據(jù)庫 371
憶聯(lián)多項存儲產(chǎn)品通過Intel VROC技術(shù)認證
UH711a面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用場景而開發(fā)，針對數(shù)據(jù)中心級業(yè)務(wù)場景及負載Workload IO模型，UH711a具有全面的性能優(yōu)化能力，結(jié)合One Time Read、智能多流、SR-IOV等多種特性，可為數(shù)據(jù)中心提供更高性價比的存儲解決方案。
2024-01-09 標簽：英特爾SSD數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤nvme 605
NAND芯片未來報價漲幅至少會達五成
綜觀全球儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市場排名，研調(diào)機構(gòu)Omdia報告顯示，三星以34.3%市占率位居龍頭，第二名是日商鎧俠（市占率19.5%），美國威騰電子居于第三（市占率15.9%），SK海力士排第四（市占率約15.1%）。
2024-01-04 標簽：芯片NAND存儲芯片Nand flash三星 417
中國全閃存市場有哪些特點與趨勢？
IDC數(shù)據(jù)表明，傳統(tǒng)企業(yè)存儲系統(tǒng)中的全閃陣列同比下降5.5%，用戶更加青睞端到端NVMe 全閃、分布式全閃等高端全閃存儲。
2024-01-03 標簽：數(shù)據(jù)存儲SDS分布式存儲nvmeAIGC 1286
面對SSD競爭壓力，硬盤驅(qū)動器正逐步邁向復(fù)蘇
希捷則有意發(fā)布HAMR（熱輔助磁記錄）技術(shù)，并制定了50 TB及以上容量的發(fā)展路線圖。早在2021年4月，希捷公司CEO Dave Mosely就曾表示，該伺計劃“在今年下半年開始交付多個版本的20 TB（HAMR）硬盤。
2023-12-29 標簽：SSD希捷西部數(shù)據(jù) 444
踏碎凌霄 王者歸來 | 佰維存儲“悟空”系列電競存儲重磅來襲...
電競產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展，帶動游戲硬件領(lǐng)域的旺盛需求。在電子競技比賽中，“失之毫厘，差之千里”，一款高性能、穩(wěn)定可靠的電競存儲產(chǎn)品是每位游戲愛好者的必備之選。近日， 佰維存儲為電競消費者傾力打造的“悟空”系列存儲產(chǎn)品首發(fā)上市 ，旨在滿足電競玩家和超頻專家的實際性能需求，為電競愛好者提供煥然一新的流暢體驗。 ? ? 悟空系列承載了佰維存儲對產(chǎn)品不斷創(chuàng)新、追求卓越的匠心獨運，致力于為電競用戶開創(chuàng)突破性的體驗。基于公司在
佰維發(fā)布CXL 2.0 DRAM，賦能高性能計算
導(dǎo)語： CXL是一種開放式全新互聯(lián)技術(shù)標準，可在主機處理器與加速器、內(nèi)存緩沖區(qū)、智能I/O設(shè)備等設(shè)備之間提供高帶寬、低延遲連接，從而滿足高性能異構(gòu)計算的要求，并且其維護CPU/GPU內(nèi)存空間和連接設(shè)備內(nèi)存之間的一致性，突破內(nèi)存墻瓶頸，縮減整體響應(yīng)時間。此外，CXL支持部署新的內(nèi)存層，可以彌合主內(nèi)存和SSD存儲之間的延遲差距。 隨著AI應(yīng)用爆發(fā)，“內(nèi)存墻”成為制約計算系統(tǒng)性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和電氣接口之上， CXL內(nèi)存擴
2023-12-27 標簽：佰維 439
存儲芯片Q4逐漸呈現(xiàn)向好趨勢，價格逐步回升
根據(jù)全球主要的存儲芯片原廠最新財報梳理可知：Q3整體庫存仍處于較高水平，整體庫存高位在Q1達到峰值，Q2有所回調(diào)，Q3下降相對明顯。
2023-12-27 標簽：消費電子存儲芯片半導(dǎo)體行業(yè)AI服務(wù)器 583
2024年1月，預(yù)計NOR Flash價格將上漲5%
NOR Flash是一種基于NOR門結(jié)構(gòu)的閃存，NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結(jié)構(gòu)，這意味著每個存儲單元都有一個地址，可以直接訪問任何存儲單元，這使NOR Flash具有快速的隨機訪問能力，適用于執(zhí)行代碼和讀取關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2023-12-27 標簽：閃存芯片adasNOR flash可穿戴設(shè)備 953
NOR Flash行業(yè)將迎來拐點 明年可能供不應(yīng)求
在這一氛圍下，NOR Flash行業(yè)已開始醞釀漲價。臺灣經(jīng)濟日報今日有消息指出，預(yù)計NOR Flash將接棒啟動存儲芯片新一輪漲價潮，預(yù)計明年1月起先漲5%，二季度漲幅有望擴大至10％。
AI SoC必須考慮的關(guān)鍵因素“內(nèi)存架構(gòu)”
導(dǎo)電橋接隨機存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM， CBRAM ）是一種低耗電、與CMOS兼容的內(nèi)存，可定制應(yīng)用在各類嵌入式市場和獨立存儲器市場。
2023-12-25 標簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sramsoc內(nèi)存AI 1255
影馳20周年紀念版星曜DDR5-7200 24GB內(nèi)存性能測...
影馳20周年紀念版星曜DDR5-7200 24GB內(nèi)存采用了海力士M-Die顆粒，其超頻潛力可與SK海力士的A-Die顆粒相媲美。 即便頻率高達7200MHz，內(nèi)存時序依舊被壓制在36-46-46-116 CR2，電壓則是1.4V。
國產(chǎn)SSD能否替代進口HDD
倪光南表示，隨著我國國產(chǎn)存儲整機和閃存生產(chǎn)能力逐步提升，SSD取代HDD時機已經(jīng)到來。
2023-12-21 標簽：SSD數(shù)據(jù)中心PCIeHDD半導(dǎo)體存儲 519
戴爾科技推出全閃存交鑰匙系統(tǒng)：ObjectScale XF9...
面對越來越多要求嚴苛的高增長工作負載，如分析、生成式AI和相關(guān)的云原生應(yīng)用程序開發(fā)等等，對象存儲被作為主存儲并迅速發(fā)展。
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