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深圳市金和信科技有限公司

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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ,MICRON/美光,動態隨機存取存儲器

型號: MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
品牌: MICRON(鎂光)

--- 產品參數 ---

  • 型號 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
  • 品牌 MICRON/美光
  • 封裝 FBGA200
  • 年份 2313+
  • 產地 臺灣

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ,MICRON/美光,動態隨機存取存儲器

 

 

16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM(LPDDR4X)是一種高速CMOS動態

隨機存取存儲器設備。該設備內部配置2通道或1通道×16

I/O,每個通道具有8個組。

一般注意事項 危芯練戲:依叭溜溜寺山寺依武叭武,

在整個數據表中,圖形和文本將DQ稱為DQ。DQ應解釋為任何或全部

DQ統稱,除非另有說明。

除非另有說明,否則DQS和CK應分別解釋為DQS_t、DQS_c和CK_t、CK_c。

CA包括用于給定密度的所有CA引腳。

在時序圖中,CMD僅用作指示器。實際信號出現在CA[5:0]上。

VREF表示VREFCA和VREFDQ。

完整的功能可以在整個文檔中進行描述。任何頁面或圖表都可以

已經被簡化以傳達一個主題,并且可能不包括所有要求。

任何具體要求優先于一般聲明。

此處未明確說明的任何功能均被視為未定義、非法、不受支持,并將

導致未知操作。

有關單端CK和DQS的功能或規格,請參閱LPDDR4X單端CK

DQS附錄

特點

本數據表適用于LPDDR4X和LPDDR4的統一

基于LPDDR4X信息的產品。至于

LPDDR4設置,請參閱通用LPDDR4規范

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